從19世紀科學家們發現了(le)晶體(ti)硅的半(ban)導體(ti)特性(xing)后，它幾乎改變了(le)一切，甚至人類(lei)的思維。直到上世紀60年(nian)代開始，硅材(cai)料(liao)就取(qu)代了(le)原(yuan)有鍺材(cai)料(liao)。硅材(cai)料(liao)――因(yin)其具(ju)有耐高溫和抗(kang)輻射(she)性(xing)能較好，特別適宜制作大(da)功(gong)率(lv)器(qi)件的特性(xing)而(er)成為(wei)應用比(bi)較多(duo)的一種半(ban)導體(ti)材(cai)料(liao)，目前的集(ji)成電路半(ban)導體(ti)器(qi)件大(da)多(duo)數是用硅材(cai)料(liao)制造(zao)的

　　現在，我們(men)的生活中處(chu)處(chu)可見“硅(gui)”的身影(ying)和作(zuo)用，晶體(ti)硅(gui)太(tai)陽能電池是近15年(nian)來形成(cheng)產業化比較快(kuai)的。

　　熔(rong)融的單質硅在凝固(gu)時硅原子以金剛石晶(jing)(jing)格排列成(cheng)許多晶(jing)(jing)核(he)，如(ru)果這(zhe)些晶(jing)(jing)核(he)長成(cheng)晶(jing)(jing)面取(qu)向(xiang)相同的晶(jing)(jing)粒(li)(li)，則這(zhe)些晶(jing)(jing)粒(li)(li)平(ping)行結合(he)起來便結晶(jing)(jing)成(cheng)單晶(jing)(jing)硅。

　　單(dan)(dan)(dan)晶(jing)硅(gui)(gui)的(de)制法(fa)通常是先制得多晶(jing)硅(gui)(gui)或無定形硅(gui)(gui)，然后用(yong)直拉(la)法(fa)或懸浮區熔法(fa)從熔體(ti)中生(sheng)長(chang)(chang)出棒狀(zhuang)單(dan)(dan)(dan)晶(jing)硅(gui)(gui)。單(dan)(dan)(dan)晶(jing)硅(gui)(gui)棒是生(sheng)產單(dan)(dan)(dan)晶(jing)硅(gui)(gui)片(pian)(pian)的(de)原(yuan)材料，隨著國內和(he)市場對單(dan)(dan)(dan)晶(jing)硅(gui)(gui)片(pian)(pian)需(xu)求量(liang)的(de)快速增加，單(dan)(dan)(dan)晶(jing)硅(gui)(gui)棒的(de)市場需(xu)求也呈快速增長(chang)(chang)的(de)趨(qu)勢(shi)。

　　單(dan)晶(jing)(jing)(jing)硅(gui)圓片(pian)(pian)按(an)其直徑分為(wei)6英(ying)寸(cun)(cun)、8英(ying)寸(cun)(cun)、12英(ying)寸(cun)(cun)(300毫米)及18英(ying)寸(cun)(cun)(450毫米)等。直徑越大(da)的圓片(pian)(pian)，所(suo)能(neng)(neng)刻制的集成(cheng)(cheng)電(dian)路(lu)越多，芯(xin)片(pian)(pian)的成(cheng)(cheng)本也就越低。但大(da)尺寸(cun)(cun)晶(jing)(jing)(jing)片(pian)(pian)對材料和技術的要求也越高。單(dan)晶(jing)(jing)(jing)硅(gui)按(an)晶(jing)(jing)(jing)體(ti)生(sheng)(sheng)長(chang)方法(fa)(fa)的不同，分為(wei)直拉(la)法(fa)(fa)(CZ)、區(qu)熔(rong)(rong)法(fa)(fa)(FZ)和外(wai)延法(fa)(fa)。直拉(la)法(fa)(fa)、區(qu)熔(rong)(rong)法(fa)(fa)生(sheng)(sheng)長(chang)單(dan)晶(jing)(jing)(jing)硅(gui)棒材，外(wai)延法(fa)(fa)生(sheng)(sheng)長(chang)單(dan)晶(jing)(jing)(jing)硅(gui)薄膜(mo)。直拉(la)法(fa)(fa)生(sheng)(sheng)長(chang)的單(dan)晶(jing)(jing)(jing)硅(gui)主(zhu)要用于半導體(ti)集成(cheng)(cheng)電(dian)路(lu)、二極(ji)管、外(wai)延片(pian)(pian)襯底、太陽能(neng)(neng)電(dian)池。目(mu)前(qian)晶(jing)(jing)(jing)體(ti)直徑可(ke)控制在Φ3~8英(ying)寸(cun)(cun)。區(qu)熔(rong)(rong)法(fa)(fa)單(dan)晶(jing)(jing)(jing)主(zhu)要用于高壓大(da)功率可(ke)控整(zheng)流器件領域(yu)，廣(guang)泛用于大(da)功率輸(shu)變(bian)(bian)電(dian)、電(dian)力機(ji)車、整(zheng)流、變(bian)(bian)頻、機(ji)電(dian)一體(ti)化、節(jie)能(neng)(neng)燈(deng)、電(dian)視機(ji)等系列產品。目(mu)前(qian)晶(jing)(jing)(jing)體(ti)直徑可(ke)控制在Φ3~6英(ying)寸(cun)(cun)。外(wai)延片(pian)(pian)主(zhu)要用于集成(cheng)(cheng)電(dian)路(lu)領域(yu)。

　　由(you)于成本和(he)性能的(de)(de)原因，直拉法(CZ)單晶(jing)硅材料應用較(jiao)(jiao)廣。在(zai)IC工業中所(suo)用的(de)(de)材料主要是CZ拋光片(pian)和(he)外延片(pian)。存儲器電(dian)路(lu)通(tong)常使用CZ拋光片(pian)，因成本較(jiao)(jiao)低(di)。邏輯電(dian)路(lu)一般使用價格較(jiao)(jiao)高的(de)(de)外延片(pian)，因其在(zai)IC制造中有更(geng)好的(de)(de)適(shi)用性并具有消除Latch-up的(de)(de)能力。

　　單(dan)晶(jing)硅也稱硅單(dan)晶(jing)，是電子信(xin)息(xi)材(cai)料中(zhong)比較基礎性材(cai)料，屬半導(dao)體(ti)材(cai)料類。單(dan)晶(jing)硅已滲透(tou)到國(guo)民經濟和國(guo)防科(ke)技中(zhong)各個領域，當(dang)今全球超過2000億美元的電子通信(xin)半導(dao)體(ti)市場中(zhong)95%以(yi)上的半導(dao)體(ti)器件及(ji)99%以(yi)上的集成(cheng)電路用(yong)硅。

　　多晶硅(gui)是由(you)許(xu)多硅(gui)原子及許(xu)多小的(de)晶粒(li)組合而(er)成的(de)硅(gui)晶體。由(you)于各個(ge)晶粒(li)的(de)排列方向彼(bi)此不同(tong)，其中有大量的(de)缺陷。多晶硅(gui)一般呈深銀(yin)灰色，不透明，具有金屬光澤，性脆(cui)，常溫(wen)下不活(huo)潑。

　　多(duo)晶(jing)硅(gui)是用金屬硅(gui)(工業硅(gui))經(jing)化學反應、提純(chun),再還(huan)原得到的高純(chun)度材料(也叫還(huan)原硅(gui))。目(mu)前世界(jie)上多(duo)晶(jing)硅(gui)生產的方法(fa)主要有改良(liang)西(xi)門(men)子法(fa)(SiHCl3)、新硅(gui)烷(wan)法(fa)(SiH4)、SiH2Cl2熱分(fen)解(jie)法(fa)、SiCl4法(fa)等多(duo)晶(jing)硅(gui)生產工藝。

　　當前全球(qiu)多(duo)(duo)(duo)(duo)晶(jing)硅的(de)市場狀況是：從上來看，早(zao)幾(ji)年多(duo)(duo)(duo)(duo)晶(jing)硅還(huan)處于供(gong)過于求的(de)局面，2004年開始(shi)，由于太陽能產(chan)業的(de)發(fa)展(zhan)，太陽能用(yong)多(duo)(duo)(duo)(duo)晶(jing)硅供(gong)不應求，導致(zhi)全球(qiu)多(duo)(duo)(duo)(duo)晶(jing)硅供(gong)應緊(jin)張。在國內，我國多(duo)(duo)(duo)(duo)晶(jing)硅生產(chan)長期不能滿足國內市場需要，嚴重(zhong)依賴于進口(kou)。

　　設備處理工藝

　　原水箱(xiang)(xiang)→原水提升泵→石英砂(sha)過濾(lv)器(qi)→活性炭過濾(lv)器(qi)→軟水器(qi)→精密過濾(lv)器(qi)→一級(ji)(ji)(ji)高壓泵→一級(ji)(ji)(ji)反滲透→級(ji)(ji)(ji)間水箱(xiang)(xiang)→二(er)級(ji)(ji)(ji)高壓泵→中(zhong)間水箱(xiang)(xiang)→EDI提升泵→微(wei)孔過濾(lv)器(qi)→EDI系統→EDI水箱(xiang)(xiang)→拋光混床→用水點(dian)

　　設(she)(she)備處力：按客戶要求設(she)(she)計

　　出水指(zhi)標：≥18.2MΩ.CM

　　產水用(yong)途

　　在(zai)太陽能(neng)電池、單晶硅(gui)多晶硅(gui)硅(gui)片硅(gui)材料(liao)清洗、LED、LCD、光(guang)(guang)(guang)電光(guang)(guang)(guang)學行業(ye)領(ling)域，中天(tian)恒遠水處理設備公司擁有多年(nian)的LED、LCD、光(guang)(guang)(guang)電光(guang)(guang)(guang)學行業(ye)脫(tuo)鹽水和超純(chun)水設備的設計、研發、調試和售后服務的成功經驗。

　　在設(she)(she)備設(she)(she)計上，采用(yong)成熟、可靠(kao)、先進、自(zi)動化程度(du)高的(de)兩(liang)級(ji)RO+EDI水(shui)(shui)處(chu)理工藝，確保處(chu)理后的(de)超純水(shui)(shui)水(shui)(shui)質符合(he)要求，水(shui)(shui)利(li)用(yong)率(lv)高，運(yun)行可靠(kao)，經濟(ji)合(he)理。關鍵設(she)(she)備及材料均采用(yong)目前先進可靠(kao)產品(pin)，采用(yong)PLC+觸摸屏(ping)控(kong)制，全(quan)套系統自(zi)動化程度(du)高，系統穩定性(xing)(xing)高。大(da)大(da)節(jie)省人力成本和(he)維護成本。使設(she)(she)備與其它(ta)同類(lei)產品(pin)相比(bi)較(jiao)，具有更高的(de)性(xing)(xing)價比(bi)和(he)設(she)(she)備可靠(kao)性(xing)(xing)。

　　我(wo)們(men)公(gong)司專業生產反(fan)滲透+EDI超(chao)純水設備，有(you)多年的(de)生產經(jing)(jing)驗，尤其在(zai)(zai)電控系(xi)統PLC方(fang)面(mian)在(zai)(zai)水處理(li)行(xing)業技術(shu)都(dou)是比(bi)較(jiao)成熟(shu)，我(wo)們(men)也有(you)做過很多各行(xing)業的(de)水處理(li)設備，這方(fang)面(mian)我(wo)們(men)有(you)豐(feng)富的(de)經(jing)(jing)驗。我(wo)們(men)公(gong)司做出來(lai)的(de)設備質量比(bi)他們(men)都(dou)有(you)優勢，在(zai)(zai)國(guo)(guo)內具(ju)有(you)一定的(de)市場竟爭力。該產品(pin)(pin)由于具(ju)備性能好、價格低于國(guo)(guo)外同類產品(pin)(pin)價格、供貨及時、售后服務方(fang)便(bian)快捷等(deng)諸多優勢。在(zai)(zai)LED、LCD、光(guang)電光(guang)學企業的(de)脫鹽(yan)水和(he)超(chao)純水裝置(zhi)，得(de)到了業界的(de)廣泛(fan)贊譽，歡迎(ying)廣大客戶前來(lai)參觀考察。