多(duo)晶硅超純水設(she)備產(chan)品優勢有哪(na)些(xie)，北京中天恒遠編輯李德馨了解(jie)到許多(duo)用(yong)(yong)戶朋友(you)們(men)很關心(xin)這(zhe)個(ge)問題(ti)，所以小編認真查閱(yue)了相(xiang)關資料，詳細咨(zi)詢(xun)了單位相(xiang)關技術人員，整(zheng)理(li)總(zong)結(jie)了一下(xia)，為廣大用(yong)(yong)戶朋友(you)詳細介紹一下(xia)，希(xi)望對您有所幫(bang)助。

　　多(duo)晶(jing)硅超純水設備產品優勢有哪些(xie)：

　　多(duo)晶(jing)(jing)硅(gui)超純水設備主要用在(zai)多(duo)晶(jing)(jing)硅(gui)片(pian)清(qing)洗中，多(duo)晶(jing)(jing)硅(gui)片(pian),半導(dao)體(ti)(ti)器件生產中硅(gui)片(pian)須經嚴格清(qing)洗。微量(liang)污(wu)(wu)(wu)(wu)染(ran)也會(hui)(hui)導(dao)致(zhi)器件失效。清(qing)洗的(de)目的(de)在(zai)于清(qing)除表面污(wu)(wu)(wu)(wu)染(ran)雜(za)質，包括(kuo)(kuo)(kuo)有(you)機(ji)物(wu)和無機(ji)物(wu)。這些雜(za)質有(you)的(de)以(yi)原子(zi)狀(zhuang)態或(huo)離子(zi)狀(zhuang)態，有(you)的(de)以(yi)薄膜(mo)形式(shi)或(huo)顆粒(li)形式(shi)存(cun)在(zai)于硅(gui)片(pian)表面。有(you)機(ji)污(wu)(wu)(wu)(wu)染(ran)包括(kuo)(kuo)(kuo)光刻(ke)膠、有(you)機(ji)溶劑殘留物(wu)、合成(cheng)蠟和人接(jie)觸器件、工具、器皿帶來的(de)油脂或(huo)纖維(wei)。無機(ji)污(wu)(wu)(wu)(wu)染(ran)包括(kuo)(kuo)(kuo)重金屬金、銅、鐵、鉻等(deng)，嚴重影響少數載(zai)流子(zi)壽命和表面電導(dao);堿(jian)金屬如鈉等(deng)，引起嚴重漏電,顆粒(li)污(wu)(wu)(wu)(wu)染(ran)包括(kuo)(kuo)(kuo)硅(gui)渣、塵埃(ai)、細菌(jun)、微生物(wu)、有(you)機(ji)膠體(ti)(ti)纖維(wei)等(deng)，會(hui)(hui)導(dao)致(zhi)各種缺陷。　　

　　為什么光伏行(xing)業晶體管、半導(dao)體集(ji)成電路清洗一定要用(yong)超純水?

　　在(zai)晶體管、集(ji)(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)路(lu)(lu)(lu)(lu)生產(chan)中(zhong)，純水(shui)(shui)(shui)主要(yao)(yao)用(yong)于(yu)清(qing)洗硅(gui)片(pian)(pian)，另有少量(liang)用(yong)于(yu)藥液(ye)配制(zhi)，硅(gui)片(pian)(pian)氧化(hua)的(de)(de)(de)(de)(de)水(shui)(shui)(shui)汽源，部(bu)分設備的(de)(de)(de)(de)(de)冷(leng)卻水(shui)(shui)(shui)，配制(zhi)電(dian)鍍(du)液(ye)等(deng)。集(ji)(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)路(lu)(lu)(lu)(lu)生產(chan)過程(cheng)中(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)80%的(de)(de)(de)(de)(de)工序(xu)需要(yao)(yao)使(shi)用(yong)高純水(shui)(shui)(shui)清(qing)洗硅(gui)片(pian)(pian)，水(shui)(shui)(shui)質(zhi)(zhi)的(de)(de)(de)(de)(de)好壞(huai)與集(ji)(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)路(lu)(lu)(lu)(lu)的(de)(de)(de)(de)(de)產(chan)品質(zhi)(zhi)量(liang)及生產(chan)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)品率關(guan)系很(hen)大(da)。水(shui)(shui)(shui)中(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)堿金屬(K、Na等(deng))會(hui)使(shi)絕緣膜耐壓(ya)不良，重金屬(Au、Ag、Cu等(deng))會(hui)使(shi)PN結(jie)耐壓(ya)降低(di)，Ⅲ族(zu)元素(su)(B、Al、Ga等(deng))會(hui)使(shi)N型半導體特性惡(e)化(hua)，Ⅴ族(zu)元素(su)(P、As、Sb等(deng))會(hui)使(shi)P型半導體特性惡(e)化(hua)，水(shui)(shui)(shui)中(zhong)細菌高溫碳化(hua)后的(de)(de)(de)(de)(de)磷(約(yue)占灰(hui)分的(de)(de)(de)(de)(de)20-50%)會(hui)使(shi)P型硅(gui)片(pian)(pian)上的(de)(de)(de)(de)(de)局部(bu)區(qu)域變(bian)為(wei)N型硅(gui)而導致(zhi)器件性能變(bian)壞(huai)，水(shui)(shui)(shui)中(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)顆粒(包括細菌)如(ru)吸(xi)附在(zai)硅(gui)片(pian)(pian)表面，就會(hui)引起電(dian)路(lu)(lu)(lu)(lu)短路(lu)(lu)(lu)(lu)或特性變(bian)差。集(ji)(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)路(lu)(lu)(lu)(lu)(DRAM)集(ji)(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)度(du)(du)16K的(de)(de)(de)(de)(de)要(yao)(yao)求是電(dian)阻(zu)(zu)率16兆歐以(yi)上，集(ji)(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)路(lu)(lu)(lu)(lu)(DRAM)集(ji)(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)度(du)(du)64K的(de)(de)(de)(de)(de)要(yao)(yao)求是電(dian)阻(zu)(zu)率16兆歐以(yi)上，集(ji)(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)路(lu)(lu)(lu)(lu)(DRAM)集(ji)(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)度(du)(du)256K的(de)(de)(de)(de)(de)要(yao)(yao)求是電(dian)阻(zu)(zu)率≥17 MΩ•cm，集(ji)(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)路(lu)(lu)(lu)(lu)(DRAM)集(ji)(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)度(du)(du)1M的(de)(de)(de)(de)(de)要(yao)(yao)求電(dian)阻(zu)(zu)率≥18MΩ•cm，集(ji)(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)路(lu)(lu)(lu)(lu)(DRAM)集(ji)(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)度(du)(du)4M的(de)(de)(de)(de)(de)要(yao)(yao)求電(dian)阻(zu)(zu)率≥18MΩ•cm，集(ji)(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)電(dian)路(lu)(lu)(lu)(lu)(DRAM)集(ji)(ji)(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)度(du)(du)16M的(de)(de)(de)(de)(de)要(yao)(yao)求電(dian)阻(zu)(zu)率≥18.2MΩ•cm。

　　執行標準(zhun)

　　JBT 7621-1994 電力(li)半導體器件工藝用高純水

　　GBT11446.1-2013電子級(ji)超純水中國(guo)(guo)國(guo)(guo)家標準

　　GB6682-2000中國國家實驗室用水GB6682-2000

　　ASTM D5127-2007美國電子和半導體水質標準

　　GB/T 11446.3——1997 電子(zi)級(ji)水(shui)測試(shi)方法通則(ze)

　　GB/T 11446.4——l997 電子級(ji)水電阻(zu)率的測試方法

　　GB/T 11446.5——1997 電(dian)子級水(shui)中痕量金屬(shu)的原子吸收(shou)分光(guang)光(guang)度測試方法(fa)

　　GB/T 11446.6——1997 電(dian)子(zi)級水中二氧化硅的(de)分光光度測試方法

　　GB/T 11446.7——1997 電子(zi)(zi)級水中痕量氯離(li)(li)子(zi)(zi)、硝酸根離(li)(li)子(zi)(zi)、磷(lin)酸根離(li)(li)子(zi)(zi)、硫酸根離(li)(li)子(zi)(zi)的離(li)(li)子(zi)(zi)色(se)譜測試方法

　　GB/T 11446.8——1997 電子級水中(zhong)總有機碳的(de)測試方法(fa)

　　GB/T 11446.9——1997 電子級(ji)水中(zhong)微粒的(de)儀器測試方(fang)法

　　GB/T 11446.10——1997 電子級水細菌(jun)總數的濾膜培養測試方法(fa)

　　我(wo)司整合了國內外先進(jin)的工藝及技術，采(cai)用預處理+雙級反滲透+EDI+雙級拋(pao)光混床+終端濾器。

　　超純(chun)水一(yi)(yi)方面在(zai)于制水工藝，另(ling)外一(yi)(yi)個重要的(de)方面在(zai)于超純(chun)水的(de)輸送，我司(si)采用PVDF材質管道，保(bao)證終端用水點的(de)水質達到使用要求(qiu)。

　　北京中天恒遠反滲透設備聯系方式：

　　咨詢電話：010-8022-5898

　　技術手機：186-1009-4262

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